帝科股份张莉：打铁需要自身硬 酒香不怕巷子深
SERIS科学家又来了一次。
SERIS的一个科学家团队宣布了一种用于金刚石线切割多晶硅（multi-cSi）晶片的纹理化新工艺的开发。
湿化学技术用纳米尺度的特征蚀刻晶片表面，这增加了多次从表面反弹并被晶片材料吸收的机会。
根据SERIS的说法，该技术使用专有化学品，并且成本低廉，可扩展，并且可以轻松集成到电池生产线中。
几年前金刚石线锯的问世为PV制造带来了巨大的成本降低，但是由于纹理问题，该技术最初仅限于单晶硅晶片。
目前已经有几种解决方案可供使用，包括反应离子蚀刻的“黑硅”技术，金属催化的化学蚀刻以及德国公司Schmid开发的DW Pretex工艺。
尽管如此，SERIS相信其新工艺将为制造商带来更多好处，尤其是与黑硅工艺相比。
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