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长光华芯高功率激光芯片突破66W

时间：2023-03-01 18:16:05 来源：长光华芯

高功率高亮度半导体激光芯片是激光产业链的基石与源头，激光芯片的功率、亮度、可靠性作为核心指标，直接影响激光系统的性能、体积与成本，是实现激光系统小型化、轻量化、智能化的前提和保证。长光华芯致力于更高功率、更高亮度单管芯片的研发与生产，日前单管芯片功率突破性的达到66W。

2023年1月，在photonics west 2023会议上，我们首次报道了在亮度保持不变的条件下（芯片条宽230μm），芯片出光功率提升20％（功率从32W提升到40W），最大功率超过51W。该芯片的功率亮度性能是230μm条宽下高功率激光芯片已知报道的最高水平。

长光华芯高功率激光芯片突破66W

Photonics west报告的230μm发光宽度芯片的功率曲线

长光华芯为实现高亮度条件下芯片功率的持续提升而不断探索。2023年2月，基于在photonics west报道的芯片技术我司开发了更高功率芯片宽条宽半导体激光芯片，长光华芯在业内首次推出最大功率超过66W的单管芯片（热沉温度为室温），芯片条宽290μm，最大效率超过70％，工作效率超过63％，这是迄今已知报道的条宽在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

长光华芯高功率激光芯片突破66W

290 μm发光宽度芯片的功率效率曲线

不忘初心，砥砺前行。长光华芯将继续致力于半导体激光芯片的攻关和技术创新，始终保持芯片功率亮度处于业内前沿水平，为中国激光芯，光耀美好生活而不懈奋斗！

长光华芯高功率激光芯片突破66W

长光华芯单管芯片

长光华芯专注于研发和生产半导体激光芯片，核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题，建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD（外延）、FAB晶圆流片、解理／镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业，有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。

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