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Alta Devices创下28.9%的单结GaAs电池效率记录

时间:2021-07-31 20:17:02 来源:

Alta Devices于2018年5月推出了基于砷化镓技术的第四代太阳能电池

总部位于加利福尼亚州的Alta Devices宣布了一项新的效率记录,其基于砷化镓的电池的效率达到28.9%。该记录已由美国国家可再生能源实验室确认。

这项成就超越了Alta Devices此前在此类电池中的28.8%的记录,并与高效专家对双结电池(将GaAs与磷化铟镓层结合在一起)的31.6%的效率记录并驾齐驱。

Alta Devices联合创始人哈里·阿特沃特(Harry Atwater)表示:“因为此类设备的新记录是里程碑式的,因为1阳1结电池是原型太阳能电池。”“ Alta拥有第一个基于内部发光提取的太阳能电池,这使Alta保持领先地位。联合创始人埃利·雅布洛诺维奇(Eli Yablonovitch)补充说,这一科学原则将在未来所有高效太阳能电池中使用。

由Yablonovitch共同撰写的IEEE光伏期刊上的文章将发光提取描述为“使用光学设计(例如后视镜或有纹理的表面)帮助内部光子从太阳能电池的前表面逸出”。


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