BNEF市场展望 | 中国可再生能源配建储能项目的经济性
碳化硅逆变器尚未实现大规模的商业化生产。
©Raimond Spekking / CC BY-SA 4.0
巴塞尔大学的科学家声称已经确定了电力电子中使用的碳化硅（SiC）的低界面迁移率的原因。
研究人员声称，有证据表明碳簇附近的热栅氧化物会影响SiC-MOSFET纸中的电子能带结构，研究人员声称发现了独特的证据，表明影响SiCs耐热性的缺陷归因于纳米级碳簇。在高温下将碳化硅氧化为二氧化硅。
研究人员使用原子力显微镜（AFM）分析和拉曼光谱法来定位缺陷的产生位置，并发现缺陷在氧化过程中发生在界面附近。“ AFM和拉曼光谱，以及广泛的最新原子模拟，进一步洞察了作为这些团簇的根本原因的天然SiC氧化及其对工艺参数，HF（氢氟酸）和臭氧蚀刻的依赖性”。
积累影响
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