IPO周报 | 商汤科技重启招股拟于下周四登陆港交所
Wolfspeed 650V碳化硅Mosfet。
图片：CREE
美国碳化硅（SiC）技术开发商CREE推出了其新的Wolfspeed 650 V SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它声称这种新型晶体管非常适合广泛的工业应用，包括碳化硅逆变器，车载电动汽车充电器，快速直流充电站和数据中心服务器。
MOSFET是被广泛用作晶体管的半导体器件。它们主要基于硅，并且通常用于各种电子设备中以切换和放大电子信号。CREE声称其新型15mΩ和60mΩ器件的开关损耗比竞争的碳化硅MOSFET低20％。
“串式逆变器是主要应用-功率处理能力通常在10 kW或更高，” CREE CTO John Palmour告诉光伏杂志。“我们的650 V碳化硅MOSFET需要更少的组件，更小的占板面积，因此重量更轻。”
Palmour说，该公司的新型MOSFET可将开关损耗降低多达75％，从而在更高的频率下具有更高的效率。他补充说：“此外，功率密度提高了多达70％，热性能大大提高，而所有这些成本却更低。”
较低的开关损耗-加上公司声称的传导损耗降低了50％-有望使功率密度提高300％。该制造商还声称，这种新设计充分利用了碳化硅的快速开关速度，出色的热性能以及在整个工作温度范围内的低导通电阻，从而可将总成本降低10％至15％。
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