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三星宣布：14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产

时间：2021-10-12 16:16:03 来源： OFweek电子工程网

10月12日消息，三星宣布开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14nm DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，“通过开拓关键的图案（key patterning）技术，三星活跃全球DRAM市场近三十年。如今，三星正通过多层EUV技术，树立了一座新的技术里程碑，实现了更加微型化的14nm工艺，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。在此基础上，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。”

随着DRAM工艺不断缩小至10nm范围，EUV技术变得越来越重要，因为它能提升图案准确性，从而获得更高性能和更大产量。通过在14nm DRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20％。此外，与上一代DRAM工艺相比，14nm工艺可帮助降低近20％的功耗。

根据最新DDR5标准，三星的14nm DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7．2Gbps，比DDR4的3．2Gbps快两倍多。

三星计划扩展其14nm DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14nm DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。

值得注意的是，今年1月，美光宣布10nm级第4代（1a）DRAM量产成功，SK海力士也于7月开始量产应用EUV的1a DRAM。虽然他们没有指明具体数字，但业界将SK海力士和美光都视为14nm级DRAM。美光没有应用EUV，而SK海力士只在一层应用了EUV。

三星电子虽然量产有点晚，但通过拉大技术差距，在未来的DRAM竞争中获得了优势。特别是基于14nm工艺和高成熟度EUV工艺技术，实现差异化性能和稳定良率，是引领DDR5DRAM普及的战略。

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