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双极性晶体管，英语是「Bipolar Transistor」，全称为「双极性结型晶体管」，英语Bipolar Junction Transistor，简称BJT。由于双极性晶体管是一种具有三个终端的电子元器件，它也被俗称为三极管。
双极性晶体管发明于1947年，作为电子产业历史上非常具有革命意义的一项发明，双极性晶体管的发明者William Shockley、John Bardeen和Walter Houser Brattain被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。
之所以被称为「双极性」晶体管，是因为这种晶体管的工作同时涉及电子和空穴两种载流子的流动。也因此，它也被称「双极性载流子晶体管」。
与场效应管的单极性晶体管不同，场效应管的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用，而两种不同掺杂物聚集区域之间的边界，则由PN结形成。
「双极性晶体管」由三部分掺杂程度不同的半导体组成，其晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
例如NPN晶体管，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。
在基极区域，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。由于基极区域很薄，电子通过漂移运动到达集电极，形成集电极电流，因此，双极性晶体管被归为「少数载流子」设备。
双极性晶体管能放大信号，而且它也具有比较好的功率控制、高速工作以及耐久性，所以双极性晶体管常被用来组成放大器电路，被广泛地应用在了航空/航天工程、机器人、医疗器械等领域产品中。
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