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由III-V半导体和硅组成的硅基多结太阳能电池。
德国的弗劳恩霍夫太阳能系统研究所ISE和设备制造商EVG的硅基多重太阳能电池的新效率记录达到33.3％。
研究人员使用沉积在硅太阳能电池上的III-V型化合物半导体，通过0.002毫米薄的半导体层（不到头发的二十分之一）实现了高转换效率。
Fraunhofer ISE的Frank Dimroth告诉光伏杂志：“相对昂贵的III-V半导体材料层太薄，以至于最终材料成本没有障碍。”凭借已经取得的成功，弗劳恩霍夫（Fraunhofer）旨在证明该技术的潜力，与传统的硅电池相比，该技术可实现更高的效率。
早在2016年11月，德国太阳能研究人员就证明了其工业伙伴EVG的效率为30.2％，随后在2017年3月提高到31.3％。他们说，现在他们已经能够显着改善光的吸收和硅中的电荷分离，从而达到新的记录值。
研究人员使用微电子学中已知的直接晶圆键合工艺将1.9微米的III-V半导体薄层与硅结合在一起。使用离子束在高真空室内将表面脱氧，然后在压力下压在一起。然后，III-V表面的原子与硅形成键。
该太阳能电池不具有常规硅太阳能电池的复杂内部结构，具有简单的正面和背面接触，并且像常规电池一样，可以集成到太阳能模块中。
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