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用于碳化硅逆变器的新型650 V MOSFET

时间:2021-12-27 16:16:38 来源:

Wolfspeed 650V碳化硅Mosfet。

图片:CREE

美国碳化硅(SiC)技术开发商CREE推出了其新的Wolfspeed 650 V SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它声称这种新型晶体管非常适合广泛的工业应用,包括碳化硅逆变器,车载电动汽车充电器,快速直流充电站和数据中心服务器。

MOSFET是被广泛用作晶体管的半导体器件。它们主要基于硅,并且通常用于各种电子设备中以切换和放大电子信号。CREE声称其新型15mΩ和60mΩ器件的开关损耗比竞争的碳化硅MOSFET低20%。

“串式逆变器是主要应用-功率处理能力通常在10 kW或更高,” CREE CTO John Palmour告诉光伏杂志。“我们的650 V碳化硅MOSFET需要更少的组件,更小的占板面积,因此重量更轻。”

Palmour说,该公司的新型MOSFET可将开关损耗降低多达75%,从而在更高的频率下具有更高的效率。他补充说:“此外,功率密度提高了多达70%,热性能大大提高,而所有这些成本却更低。”

较低的开关损耗-加上公司声称的传导损耗降低了50%-有望使功率密度提高300%。该制造商还声称,这种新设计充分利用了碳化硅的快速开关速度,出色的热性能以及在整个工作温度范围内的低导通电阻,从而可将总成本降低10%至15%。


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