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N型微晶碳化硅–μc-SiC：H（n）–通过热线化学气相法沉积在硅基薄膜和硅异质结太阳能电池中时，可能表现出优异的光电性能。
这种昂贵的宽带隙材料被认为具有优异的光电性能，可用作太阳能电池层。当使用热线化学气相沉积法沉积时，由于具有高的光学透明性和合适的折射率，它可以用于生产高性能的硅薄膜或异质结电池。这两个因素可以减少光捕获和反射损耗上的寄生吸收损耗。
尽管具有这种潜力，但由于所需材料昂贵，该技术迄今仅受到有限的吸收，并且生产性能可靠的器件具有挑战性：在太阳能电池上生长高度透明的n型微晶碳化硅的沉积条件往往会导致太阳能电池的性能严重下降。底层硅层。
但是，由德国能源研究所5-光伏（IEK-5）领导的国际研究小组研究了如何应用n型微晶碳化硅的热线化学气相沉积（HWCVD）来改善叉指背的性能。接触式（IBC）太阳能电池。
“由于在正面没有阴影金属触点，IBC的概念提供了实现最高短路电流密度的可能性，”论文的作者对c-Si太阳能电池正面使用透明碳化硅/隧道SiO2钝化侧：启用Jsc> 42 mA / cm2和742 mV的iVoc，发表于《光伏进展》。
改善钝化
科学家声称，在250摄氏度的加热器温度下，无需进一步处理，电阻率为1.0Ωcm，厚度为170μm的双面纹理，磷掺杂，切克劳斯基生长的c-Si晶片可实现出色的钝化质量。
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