中国DMF行业市场供需现状与竞争格局分析
舍布鲁克大学的小组制造的太阳能电池。他们发现，在多孔硅基板上工作时，GaAs层中的缺陷较少。
砷化镓（GaAs）和其他III-V材料（以其在周期表中的分组命名）是众所周知的高性能太阳能电池材料，在转换效率方面保持着大部分记录。
但是到目前为止，它们的高生产成本通常在每瓦数百美元的范围内，这意味着此类电池仅限于为卫星，无人机和其他细分市场供电，在这些领域中，电池性能优先于每瓦发电成本。
将这些生产成本降低到主流太阳能应用可以发挥其性能潜力的水平是一个重要的话题，近年来，科学家们提出了一系列不同的解决方案。
在硅衬底上生长GaAs层是一种有前途的方法，该方法可以从混合物中消除更昂贵的锗，同时允许更大面积的制造。但是以这种方式生产的层倾向于具有高水平的缺陷，从而限制了它们在太阳能电池中的性能。
由加拿大舍布鲁克大学领导的科学家研究了使用多孔硅代替晶体硅（c-Si）是否可以带来改进。他们的研究结果发表在《太阳能材料和太阳能电池》杂志上，显示出用相同的方法用晶体代替多孔硅时，填充因子和开路电压得到了显着改善。
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